Name: SCT3120ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3120ALGC11-ND
Price: 8.41018 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT3120ALGC11
DigiKey-Teilenr.	SCT3120ALGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT3120ALGC11
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCT3120ALGC11 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	156mOhm bei 6,7A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 3,33mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	38 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	460 pF @ 500 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	103W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SCT3120

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 7.78000	Fr. 7.78
30	Fr. 4.18000	Fr. 125.40
120	Fr. 3.99617	Fr. 479.54
510	Fr. 3.66000	Fr. 1’866.60

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