
IXTA20N65X | |
---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTA20N65X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTA20N65X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20A TO263 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 320W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 210mOhm bei 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1390 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 320W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263AA | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |