IXTA80N10T7 IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

IXTA80N10T7 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

IXYS

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 3.84000

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 6’097

Stückpreis : Fr. 1.72000

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 1’519

Stückpreis : Fr. 1.67000

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 1’600

Stückpreis : Fr. 0.79385

Ähnlich

onsemi

Vorrätig: 1’343

Stückpreis : Fr. 2.58000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 1’758

Stückpreis : Fr. 3.07000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTA80N10T7
DigiKey-Teilenr.	IXTA80N10T7-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTA80N10T7
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 230W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7 (IXTA)

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	TrenchMV™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3040 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	230W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7 (IXTA)
Gehäuse / Hülle	TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)
Basis-Produktnummer	IXTA80