Name: IXTH1N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTH1N200P3HV-ND
Price: 8.79934 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTH1N200P3HV
DigiKey-Teilenr.	238-IXTH1N200P3HV-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTH1N200P3HV
Beschreibung	MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-247HV
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Polar P3™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	2000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	646 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247HV
Gehäuse / Hülle	TO-247-3 Variante
Basis-Produktnummer	IXTH1

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30	Fr. 4.82400	Fr. 144.72
120	Fr. 4.09583	Fr. 491.50
510	Fr. 3.76700	Fr. 1’921.17

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