N-Kanal, Verarmungsmodus 1700 V 1 A (Tj) 290W (Tc) Durchkontaktierung TO-247HV
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IXTH1N170DHV

DigiKey-Teilenr.
238-IXTH1N170DHV-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH1N170DHV
Beschreibung
MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1700 V 1 A (Tj) 290W (Tc) Durchkontaktierung TO-247HV
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
16Ohm bei 500mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
47 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3090 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
290W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247HV
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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