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Parametrisches Äquivalent


IXYS
Vorrätig: 23
Stückpreis : Fr. 6.50000
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Vorrätig: 2’092
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 659
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Vorrätig: 30
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Vorrätig: 331
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Vorrätig: 919
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Vorrätig: 444
Stückpreis : Fr. 2.52000
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TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-220
ITO-220AB Tab

IXTP12N70X2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP12N70X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP12N70X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 12A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 700 V 12 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
300mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
960 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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