IXTP180N055T IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

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IXYS

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Stückpreis : Fr. 3.99000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP180N055T
DigiKey-Teilenr.	IXTP180N055T-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP180N055T
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 55 V 180 A (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	180 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXTP180