IXTP18N60PM ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 1’000
Stückpreis : Fr. 2.51000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 378
Stückpreis : Fr. 1.68000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 659
Stückpreis : Fr. 1.28000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 742
Stückpreis : Fr. 1.58000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 30
Stückpreis : Fr. 3.93000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.27792
Datenblatt
IXFP30N25X3M
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP18N60PM

DigiKey-Teilenr.
IXTP18N60PM-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP18N60PM
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
420mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220, isolierte Fahne
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.
Nicht stornierbar / keine Rückgabe