Name: IXTP3N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP3N100D2-ND
Price: 4.78883 CHF
Availability: InStock

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IXTP3N100D2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTP3N100D2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP3N100D2
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	50 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 3 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,5Ohm bei 1,5A, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	37.5 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1020 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXTP3

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 4.43000	Fr. 4.43
50	Fr. 2.32240	Fr. 116.12
100	Fr. 2.11880	Fr. 211.88
500	Fr. 1.76226	Fr. 881.13
1’000	Fr. 1.67950	Fr. 1’679.50

Standardverpackung des Herstellers

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