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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXTP08N100D2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXTP08N100D2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTP08N100D2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 32 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IXTP08N100D2 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | - | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 21Ohm bei 400mA, 0V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | - | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 325 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 345
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.88000 | Fr. 2.88 |
| 50 | Fr. 1.45860 | Fr. 72.93 |
| 100 | Fr. 1.32030 | Fr. 132.03 |
| 500 | Fr. 1.07788 | Fr. 538.94 |
| 1’000 | Fr. 1.00001 | Fr. 1’000.01 |
| 2’000 | Fr. 0.94792 | Fr. 1’895.84 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.88000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.11328 |
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