N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
TO-252AA

IXTY01N100D

DigiKey-Teilenr.
238-IXTY01N100D-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTY01N100D
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 25µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5.8 nC @ 5 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
100 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
1,1W (Ta), 25W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
80Ohm bei 50mA, 0V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 4.54000Fr. 4.54
70Fr. 2.27157Fr. 159.01
140Fr. 2.07929Fr. 291.10
560Fr. 1.78166Fr. 997.73
1’050Fr. 1.67723Fr. 1’761.09
2’030Fr. 1.60055Fr. 3’249.12
Standardverpackung des Herstellers
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