N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
TO-252AA

IXTY1R6N100D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTY1R6N100D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTY1R6N100D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IXTY1R6N100D2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10Ohm bei 800mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
645 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 900
Bestand des Herstellers: 1’680
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 3.64000Fr. 3.64
70Fr. 1.79257Fr. 125.48
140Fr. 1.63579Fr. 229.01
560Fr. 1.39284Fr. 779.99
1’050Fr. 1.30760Fr. 1’372.98
2’030Fr. 1.29906Fr. 2’637.09
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 3.64000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 3.93484