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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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Datenblatt
TO-252AA
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TO-252AA
TO-252AA

IXTY1R6N100D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTY1R6N100D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTY1R6N100D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers
50 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IXTY1R6N100D2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10Ohm bei 800mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
645 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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560Fr. 1.41766Fr. 793.89
1’050Fr. 1.33089Fr. 1’397.43
2’030Fr. 1.32220Fr. 2’684.07
Standardverpackung des Herstellers
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