


IXTY1R6N100D2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXTY1R6N100D2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTY1R6N100D2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 50 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IXTY1R6N100D2 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | - | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 10Ohm bei 800mA, 0V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | - | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 27 nC @ 5 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 645 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-252AA | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.70000 | Fr. 3.70 |
| 70 | Fr. 1.82457 | Fr. 127.72 |
| 140 | Fr. 1.66493 | Fr. 233.09 |
| 560 | Fr. 1.41766 | Fr. 793.89 |
| 1’050 | Fr. 1.33089 | Fr. 1’397.43 |
| 2’030 | Fr. 1.32220 | Fr. 2’684.07 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.70000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.99970 |



