MG12150D-BA1MM Littelfuse Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MG12150D-BA1MM
DigiKey-Teilenr.	F6480-ND
Hersteller	Littelfuse Inc.
Hersteller-Teilenummer	MG12150D-BA1MM
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Halbbrücke 1200 V 210 A 1100 W Chassisbefestigung D3

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Littelfuse Inc.
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	-
Konfiguration	Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	210 A
Leistung - Max.	1100 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,8V bei 15V, 150A (typisch)
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	1 mA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	11 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	D3