MG1250S-BA1MM Littelfuse Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MG1250S-BA1MM
DigiKey-Teilenr.	F6494-ND
Hersteller	Littelfuse Inc.
Hersteller-Teilenummer	MG1250S-BA1MM
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 80A 500W S3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Halbbrücke 1200 V 80 A 500 W Chassisbefestigung S3

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Littelfuse Inc.
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	-
Konfiguration	Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	80 A
Leistung - Max.	500 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,8V bei 15V, 50A (typisch)
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	500 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	4.29 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	S-3-Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	S3