MG1775S-BN4MM Littelfuse Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

MG1775S-BN4MM ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Vorrätig: 30

Stückpreis : Fr. 114.22000

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MG1775S-BN4MM
DigiKey-Teilenr.	MG1775S-BN4MM-ND
Hersteller	Littelfuse Inc.
Hersteller-Teilenummer	MG1775S-BN4MM
Beschreibung	IGBT MODULE 1700V 125A 520W S3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Halbbrücke 1700 V 125 A 520 W Chassisbefestigung S3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Littelfuse Inc.
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1700 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	125 A
Leistung - Max.	520 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,45V bei 15V, 75A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	3 mA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	6.8 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 125°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	S-3-Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	S3