TO-247AB
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SICW1000N170A-BP

DigiKey-Teilenr.
353-SICW1000N170A-BP-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SICW1000N170A-BP
Beschreibung
N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1700 V 3A 69W Durchkontaktierung TO-247AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,32Ohm bei 1,5A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15.5 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
124 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
69W
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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