Name: LND150N3-G-P003
Brand: Microchip Technology
SKU: LND150N3-G-P003TR-ND
Price: 0.58374 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

LND150N3-G-P003
DigiKey-Teilenr.	LND150N3-G-P003TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) LND150N3-G-P003CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer	LND150N3-G-P003
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	LND150N3-G-P003 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Microchip Technology
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	0V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1000Ohm bei 500µA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	740mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92-3
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Basis-Produktnummer	LND150