Name: G3F25MT06L-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F25MT06L-TR-ND
Price: 16.48525 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3F25MT06L-TR
DigiKey-Teilenr.	1913-G3F25MT06L-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1913-G3F25MT06L-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1913-G3F25MT06L-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G3F25MT06L-TR
Beschreibung	650V 20M TO-LL G3F SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 125A (Tc) 455W (Tc) Oberflächenmontage TOLL
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	125A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	27,5mOhm bei 35A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 15mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	108 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2939 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	455W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TOLL
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN