RF-MOSFET 50 V 100 mA 1,8MHz bis 250MHz 21,1dB 115W TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
RF-MOSFET 50 V 100 mA 1,8MHz bis 250MHz 21,1dB 115W TO-220-3
MRF101AN-START
5G Wireless Infrastructure for a Connected World

MRF101AN-START

DigiKey-Teilenr.
568-15353-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MRF101AN-START
Beschreibung
RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
RF-MOSFET 50 V 100 mA 1,8MHz bis 250MHz 21,1dB 115W TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Nennstrom (Ampere)
10µA
Hersteller
NXP USA Inc.
Strom - Test
100 mA
Verpackung
Lose im Beutel
Leistung - Abgabe
115W
Status der Komponente
Obsolet
Spannung - Nennwert
133 V
Technologie
LDMOS
Montagetyp
Durchkontaktierung
Frequenz
1,8MHz bis 250MHz
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Verstärkung
21,1dB
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Spannung - Test
50 V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.
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