HF-FETs, HF-MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	Technologie	Konfiguration	Frequenz	Verstärkung	Spannung - Test	Nennstrom (Ampere)	Rauschzahl	Strom - Test	Leistung - Abgabe	Spannung - Nennwert	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
MMBF5485 RF MOSFET JFET 15V SOT23-3 onsemi	39’789 Vorrätig Für dieses Produkt gilt eine maximale Einkaufsmenge	1 : Fr. 0.35000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.07650 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	JFET	N-Kanal	400MHz	-	15 V	10mA	4dB	-	-	25 V	-	-	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
CE3512K2-C1 RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX CEL	23’080 Vorrätig	1 : Fr. 1.31000 Gurtabschnitt (CT) 10’000 : Fr. 0.64352 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	pHEMT FET	-	12GHz	13,7dB	2 V	15mA	0,5dB	10 mA	125mW	4 V	-	-	-	4-Micro-X	4-Micro-X
CE3520K3-C1 RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX CEL	10’352 Vorrätig	1 : Fr. 1.82000 Gurtabschnitt (CT) 10’000 : Fr. 0.90620 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	pHEMT FET	-	20GHz	13,8dB	2 V	15mA	0,8dB	10 mA	125mW	4 V	-	-	-	4-Micro-X	4-Micro-X
AFT05MS004NT1 RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A NXP USA Inc.	7’089 Vorrätig	1 : Fr. 3.08000 Gurtabschnitt (CT) 1’000 : Fr. 1.70953 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	LDMOS	-	520MHz	20,9dB	7.5 V	-	-	100 mA	4,9W	30 V	-	-	Oberflächenmontage	TO-243AA	SOT-89A
AFT09MS007NT1 RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W NXP USA Inc.	5’879 Vorrätig	1 : Fr. 10.16000 Gurtabschnitt (CT) 1’000 : Fr. 6.21569 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	LDMOS	-	870MHz	15,2dB	7.5 V	-	-	100 mA	7,3W	30 V	-	-	Oberflächenmontage	PLD-1,5W	PLD-1,5W
TAV2-501+ RF MOSFET E-PHEMT 4.5V MC1631-1 Mini-Circuits	5’592 Vorrätig	1 : Fr. 10.79000 Gurtabschnitt (CT) 2’000 : Fr. 1.26389 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	E-pHEMT	-	400MHz bis 3,9GHz	23,5dB	4.5 V	-	1,3dB	280 mA	-	7 V	-	-	Oberflächenmontage	8-TFDFN mit freiliegendem Pad	MC1631-1
SAV-551+ RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362 Mini-Circuits	3’573 Vorrätig	1 : Fr. 14.25000 Gurtabschnitt (CT) 1’000 : Fr. 0.93377 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	E-pHEMT	-	45MHz bis 6GHz	20,9dB	3 V	-	1,8dB	15 mA	20dBm	5 V	-	-	Oberflächenmontage	SC-82A, SOT-343	MMM1362
SAV-541+ RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362 Mini-Circuits	2’040 Vorrätig	1 : Fr. 14.25000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 1.36765 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	E-pHEMT	-	45MHz bis 6GHz	23,2dB	3 V	-	1,9dB	60 mA	21,5dB	5 V	-	-	Oberflächenmontage	SC-82A, SOT-343	MMM1362
BLP9LA25SGZ RF MOSFET LDMOS SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	945 Vorrätig	1 : Fr. 14.53000 Gurtabschnitt (CT) 500 : Fr. 9.57800 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	BLP	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	LDMOS	-	1MHz bis 941MHz	18,4dB	-	-	-	-	25W	13.6 V	-	-	Oberflächenmontage	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	1’185 Vorrätig	1 : Fr. 15.54000 Gurtabschnitt (CT) 500 : Fr. 10.29038 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	LDMOS	-	400MHz bis 2,7GHz	19dB	28 V	1,4µA	-	180 mA	43dBm	65 V	-	-	Oberflächenmontage	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S10GZ RF MOSFET LDMOS 50V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	1’535 Vorrätig	1 : Fr. 17.37000 Gurtabschnitt (CT) 500 : Fr. 11.59408 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	BLP	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	LDMOS	Doppelt, gemeinsame Quelle	1,4GHz	22dB	50 V	1,4µA	-	60 mA	10W	104 V	-	-	Oberflächenmontage	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S30GZ RF MOSFET LDMOS SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	2’687 Vorrätig	1 : Fr. 18.16000 Gurtabschnitt (CT) 500 : Fr. 12.15344 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	BLP	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	LDMOS	-	1MHz bis 1,5GHz	17dB	-	-	-	-	30W	50 V	-	-	Oberflächenmontage	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S30Z RF MOSFET LDMOS 50V SOT1482-1 Ampleon USA Inc.	226 Vorrätig	1 : Fr. 18.52000 Gurtabschnitt (CT) 500 : Fr. 12.15344 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	LDMOS	-	1,5GHz	22dB	50 V	1,4µA	-	10 mA	30W	106 V	-	-	Oberflächenmontage	SOT-1482-1	SOT-1482-1
MW6S004NT1 RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 NXP USA Inc.	3’531 Vorrätig	1 : Fr. 19.78000 Gurtabschnitt (CT) 1’000 : Fr. 12.71841 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	LDMOS	-	1,96GHz	18dB	28 V	-	-	50 mA	4W	68 V	-	-	Oberflächenmontage	PLD-1,5	PLD-1,5
BLP0427M9S20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	230 Vorrätig	1 : Fr. 20.69000 Gurtabschnitt (CT) 500 : Fr. 13.96822 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	LDMOS	-	400MHz bis 2,7GHz	19dB	28 V	1,4µA	-	100 mA	20W	65 V	-	-	Oberflächenmontage	SOT-1483-1	SOT1483-1
AFT05MS031GNR1 RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 NXP USA Inc.	881 Vorrätig	1 : Fr. 30.30000 Gurtabschnitt (CT) 500 : Fr. 20.43700 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	LDMOS	-	520MHz	17,7dB	13.6 V	-	-	10 mA	31W	40 V	-	-	Oberflächenmontage	TO-270BA	TO-270-2 schwingenförmig
MHT1803A RF MOSFET TO247 NXP USA Inc.	261 Vorrätig	1 : Fr. 31.35000 Stange	-	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	LDMOS	N-Kanal	1,8MHz bis 50MHz	28,2dB	50 V	-	-	50 mA	300W	50 V	-	-	Durchkontaktierung	3-SIP	3-SIL
MHT1803B RF MOSFET TO247 NXP USA Inc.	610 Vorrätig	1 : Fr. 31.89000 Stange	-	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF101BN RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3 NXP USA Inc.	165 Vorrätig	1 : Fr. 31.90000 Stange	-	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	LDMOS	-	1,8MHz bis 250MHz	21,1dB	50 V	10µA	-	100 mA	115W	133 V	-	-	-	TO-220-3	TO-220-3
MRF136 RF MOSFET 28V 211-07 MACOM Technology Solutions	454 Vorrätig	1 : Fr. 38.40000 Tablett	-	Tablett	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N-Kanal	400MHz	16dB	28 V	2,5A	1dB	25 mA	15W	65 V	-	-	-	211-07	211-07, Typ 2
CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN MACOM Technology Solutions	230 Vorrätig	1 : Fr. 39.72000 Gurtabschnitt (CT) 200 : Fr. 28.73595 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	GaN	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	HEMT	-	0Hz bis 6GHz	12dB	28 V	-	-	100 mA	8W	84 V	-	-	Oberflächenmontage	6-VDFN mit freiliegendem Pad	16-QFN (3x3)
AFT05MP075NR1 RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4 NXP USA Inc.	2’496 Vorrätig	1 : Fr. 48.84000 Gurtabschnitt (CT) 500 : Fr. 33.92854 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	LDMOS	Zweif.	520MHz	18,5dB	12.5 V	-	-	400 mA	70W	40 V	-	-	Oberflächenmontage	TO-270AB	TO-270 WB-4
VRF150 RF MOSFET 50V M174 Microchip Technology	45 Vorrätig	1 : Fr. 53.83000 Box	-	Box	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N-Kanal	150MHz	11dB	50 V	1mA	-	250 mA	150W	170 V	-	-	-	M174	M174
QPD0030 DC-4 GHZ, 45W, 48V GAN RF PWR TR Qorvo	260 Vorrätig	1 : Fr. 65.49000 Gurtabschnitt (CT) 250 : Fr. 33.45412 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	GaN HEMT	-	5GHz	15,5dB	48 V	-	-	150 mA	45W	55 V	-	-	Oberflächenmontage	20-VFQFN mit freiliegendem Pad	20-QFN (3x4)
MRF300BN RF MOSFET LDMOS 50V TO247 NXP USA Inc.	272 Vorrätig	1 : Fr. 71.06000 Stange	-	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	LDMOS	-	27MHz bis 250MHz	18,7dB	50 V	-	-	-	300W	-	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247

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HF-Transistoren, -FETs und -MOSFETs sind Halbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, bei denen der durch die Komponente fließende Strom durch eine elektrisches Feld gesteuert wird. Die Komponenten dieser Familie sind für die Verwendung in Equipment konzipiert, in dem HF-Frequenzen auftreten. Transistortypen zur Verstärkung oder zum Schalten des Signals oder der Versorgung sind E-pHEMT, LDMOS, MESFET, N-Kanal, P-Kanal, pHEMT, Siliziumkarbid, 2 N-Kanal und 4 N-Kanal.

HF-FETs, HF-MOSFETs

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