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TO-220F
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCPF190N60E-F152

DigiKey-Teilenr.
FCPF190N60E-F152-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCPF190N60E-F152
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20,6 A (Tc) 39W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
EDA/CAD-Modelle
FCPF190N60E-F152 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
82 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3175 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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