FDP047AN08A0-F102 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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FDP047AN08A0-F102
DigiKey-Teilenr.	FDP047AN08A0-F102-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDP047AN08A0-F102
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 75 V 15 A (Tc) 310W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDP047AN08A0-F102 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Vgs (Max.)	±20V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	310W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	FDP047