FDY1002PZ onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDY1002PZ
DigiKey-Teilenr.	FDY1002PZTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDY1002PZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDY1002PZDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDY1002PZ
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 830mA 446mW Oberflächenmontage SOT-563F
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	830mA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	500mOhm bei 830mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3,1nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	135pF bei 10V
Leistung - Max.	446mW
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SOT-563, SOT-666
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-563F
Basis-Produktnummer	FDY1002

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