FGA50N100BNTDTU onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

FGA50N100BNTDTU ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

Toshiba Semiconductor and Storage

Vorrätig: 9

Stückpreis : Fr. 4.43000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FGA50N100BNTDTU
DigiKey-Teilenr.	FGA50N100BNTDTU-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FGA50N100BNTDTU
Beschreibung	IGBT NPT/TRENCH 1000V 50A TO-3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT NPT und Schlitz 1000 V 50 A 156 W Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	NPT und Schlitz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1000 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	50 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	100 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,9V bei 15V, 60A
Leistung - Max.	156 W
Schaltenergie	-
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	275 nC
Td (on/off) bei 25°C	-
Testbedingung	-
Umkehrerholungszeit (trr)	1.5 µs
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P
Basis-Produktnummer	FGA50N100