FQP19N20 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Parametrisches Äquivalent


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TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQP19N20

DigiKey-Teilenr.
FQP19N20FS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQP19N20
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 19,4 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
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FQP19N20 Modelle
Produkteigenschaften
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Herst.
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Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm bei 9,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1600 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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