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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRF640PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF640PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF640PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 31 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF640PBF Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 70 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1300 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 125W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.91000 | Fr. 2.91 |
| 50 | Fr. 1.46200 | Fr. 73.10 |
| 100 | Fr. 1.32200 | Fr. 132.20 |
| 500 | Fr. 1.07674 | Fr. 538.37 |
| 1’000 | Fr. 0.99795 | Fr. 997.95 |
| 2’000 | Fr. 0.93170 | Fr. 1’863.40 |
| 5’000 | Fr. 0.87540 | Fr. 4’377.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.91000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.14571 |
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