FQP3N50C-F080 onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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IXYS

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FQP3N50C-F080
DigiKey-Teilenr.	FQP3N50C-F080OS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQP3N50C-F080
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 1,8 A (Tc) 62W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQP3N50C-F080 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±30V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 365 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 62W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,8 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,5Ohm bei 1,5A, 10V	Basis-Produktnummer FQP3

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Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IXTP1R6N50D2	IXYS	240	238-IXTP1R6N50D2-ND	Fr. 4.28000	Ähnlich

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