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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

NTD4965NT4G
onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

IRLR7833PBF
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

STD100N3LF3
STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.47000
Datenblatt

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STD96N3LLH6
STMicroelectronics
Vorrätig: 2’487
Stückpreis : Fr. 1.26000
Datenblatt
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TO-252-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-252-3
TO-252-3

NTD4965NT4G

DigiKey-Teilenr.
NTD4965NT4GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NTD4965NT4G
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13A/68A DPAK-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 13 A (Ta), 68 A (Tc) 1,39W (Ta) Oberflächenmontage DPAK-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
NTD4965NT4G Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
13 A (Ta), 68 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,7mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1710 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,39W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK-3
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer
NTD4965
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