Name: NTH4L013N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L013N120M3S-ND
Price: 29.34915 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 151 A (Tc) 682W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTH4L013N120M3S
DigiKey-Teilenr.	5556-NTH4L013N120M3S-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTH4L013N120M3S
Beschreibung	DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 151 A (Tc) 682W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 37mA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 254 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5813 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 682W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 151 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 20mOhm bei 75A, 18V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 712

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 27.15000	Fr. 27.15
10	Fr. 20.00900	Fr. 200.09
450	Fr. 16.31256	Fr. 7’340.65

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.