Name: NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L028N170M1-ND
Price: 32.00841 CHF
Availability: InStock

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NTH4L028N170M1
DigiKey-Teilenr.	5556-NTH4L028N170M1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTH4L028N170M1
Beschreibung	SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 81 A (Tc) 535W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	81 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40mOhm bei 60A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	200 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+25V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4230 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	535W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4L
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	NTH4L02

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