Name: GP2T030A170H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP2T030A170H-ND
Price: 25.43593 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 1700 V 83 A (Tc) 564W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GP2T030A170H
DigiKey-Teilenr.	1560-GP2T030A170H-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GP2T030A170H
Beschreibung	SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 83 A (Tc) 564W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 20mA
Herst. SemiQ	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 233 nC @ 20 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +25V, -10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6202 pF @ 1200 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 564W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 83 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 36mOhm bei 60A, 20V

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