NVMFS6B14NLT1G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

NVMFS6B14NLT1G ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen

onsemi

Vorrätig: 5’373

Stückpreis : Fr. 1.01000

Ähnlich

onsemi

Vorrätig: 2’169

Stückpreis : Fr. 3.18000

Parametrisches Äquivalent

onsemi

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 0.00000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFS6B14NLT1G
DigiKey-Teilenr.	NVMFS6B14NLT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFS6B14NLT1G
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 11 A (Ta), 55 A (Tc) 3,8W (Ta), 94W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Ta), 55 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1680 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 94W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFS6