Name: NVMFWS2D1N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS2D1N08XT1GTR-ND
Price: 3.07004 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFWS2D1N08XT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NVMFWS2D1N08XT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMFWS2D1N08XT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMFWS2D1N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFWS2D1N08XT1G
Beschreibung	T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 181 A (Tc) 148W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 53 nC @ 6 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3800 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 148W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 181 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,1mOhm bei 43A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Vgs(th) (max.) bei Id 3,6V bei 213µA	Basis-Produktnummer NVMFWS