Name: NVMTSC1D3N08M7TXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTSC1D3N08M7TXGTR-ND
Price: 5.14556 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMTSC1D3N08M7TXG
DigiKey-Teilenr.	488-NVMTSC1D3N08M7TXGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMTSC1D3N08M7TXGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMTSC1D3N08M7TXGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMTSC1D3N08M7TXG
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 46A (Ta), 348A (Tc) 5,1W (Ta), 287W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFNW (8,3x8,4)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	46A (Ta), 348A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,25mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	196 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	14530 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5,1W (Ta), 287W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFNW (8,3x8,4)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	NVMTSC1