Name: NVMJST1D4N06CLTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJST1D4N06CLTXGTR-ND
Price: 3.47001 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMJST1D4N06CLTXG
DigiKey-Teilenr.	488-NVMJST1D4N06CLTXGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMJST1D4N06CLTXGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMJST1D4N06CLTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMJST1D4N06CLTXG
Beschreibung	TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 42A (Ta), 198A (Tc) 5,3W (Ta), 116W (Tc) Oberflächenmontage 10-TCPAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	42A (Ta), 198A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,49mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	92.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6555 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5,3W (Ta), 116W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	10-TCPAK
Gehäuse / Hülle	10-PowerLSOP (0,209", 5,30mm Breite)