MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 105 A (Tc) 244W (Tj) Chassisbefestigung 34-PIM (56,7x42,5)
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NXH011F120M3F2PTHG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH011F120M3F2PTHG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH011F120M3F2PTHG
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 105 A (Tc) 244W (Tj) Chassisbefestigung 34-PIM (56,7x42,5)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,4V bei 60mA
Hersteller
onsemi
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
284nC bei 18V
Verpackung
Tablett
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6211,6pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
244W (Tj)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäuse / Hülle
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
105 A (Tc)
Gehäusetyp vom Lieferanten
34-PIM (56,7x42,5)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
16mOhm bei 100A, 18V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
Auf Bestellung verfügbar
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