Name: NXH030F120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH030F120M3F1PTG-ND
Price: 62.61152 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NXH030F120M3F1PTG
DigiKey-Teilenr.	5556-NXH030F120M3F1PTG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH030F120M3F1PTG
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 38 A (Tc) 100W (Tj) Chassisbefestigung 22-PIM (33,8x42,5)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal	Mit Verarmungsschicht
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	38 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	38,5mOhm bei 30A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 15mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	110nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2246pF bei 800V
Leistung - Max.	100W (Tj)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	22-PIM (33,8x42,5)
Basis-Produktnummer	NXH030

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