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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXH015F120M3F1PTG | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 488-NXH015F120M3F1PTG-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NXH015F120M3F1PTG |
Beschreibung | SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 77 A (Tc) 198W (Tj) Chassisbefestigung 22-PIM (33,8x42,5) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | onsemi | |
Serie | - | |
Verpackung | Tablett | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 4 N-Kanal (Vollbrücke) | |
FET-Merkmal | Mit Verarmungsschicht | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 77 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 19mOhm bei 60A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,4V bei 30mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 211nC bei 18V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 4696pF bei 800V | |
Leistung - Max. | 198W (Tj) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 22-PIM (33,8x42,5) | |
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 25
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Menge
Alle Preise in CHF
Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 54.46000 | Fr. 54.46 |
| 28 | Fr. 41.60000 | Fr. 1’164.80 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 54.46000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 58.87126 |
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