Name: 2SJ162-E
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 2SJ162-E-ND
Price: 8.08588 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SJ162-E
DigiKey-Teilenr.	2SJ162-E-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	2SJ162-E
Beschreibung	MOSFET P-CH 160V 7A TO3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 160 V 7 A (Ta) 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2SJ162-E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	160 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Vgs (Max.)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	900 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3

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Verfügbar bis: 31.03.2026

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1	Fr. 7.48000	Fr. 7.48
10	Fr. 5.13000	Fr. 51.30
100	Fr. 3.80030	Fr. 380.03
500	Fr. 3.37000	Fr. 1’685.00

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