Name: TP65H030G4PQS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PQS-TR-ND
Price: 8.55071 CHF
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H030G4PQS-TR
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H030G4PQS-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H030G4PQS-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H030G4PQS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H030G4PQS-TR
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 55.7A TOLL
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Oberflächenmontage TOLL
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	SuperGaN®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	55,7A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	12V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	41mOhm bei 30A, 12V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,8V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	24.5 nC @ 12 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1500 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	192W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TOLL
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN
Basis-Produktnummer	TP65H030