Name: TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PWS-ND
Price: 9.15607 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

N-Kanal 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3

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TP65H030G4PWS
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H030G4PWS-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H030G4PWS
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 1mA
Herst. Renesas Electronics Corporation	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24.5 nC @ 12 V
Serie SuperGaN®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1500 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 192W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 55,7A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 12V	Basis-Produktnummer TP65H030
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 41mOhm bei 30A, 12V

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30	Fr. 5.01833	Fr. 150.55
120	Fr. 4.26075	Fr. 511.29
510	Fr. 3.70588	Fr. 1’890.00
1’020	Fr. 3.66130	Fr. 3’734.53

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