Name: BSM450D12P4G102
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM450D12P4G102-ND
Price: 497.94103 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSM450D12P4G102
DigiKey-Teilenr.	846-BSM450D12P4G102-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	BSM450D12P4G102
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 447A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 447A (Tc) 1,45kW (Tc) Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Box
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	447A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bei Id	4,8V bei 218,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	44000pF bei 10V
Leistung - Max.	1,45kW (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	BSM450