Name: RD3G03BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G03BATTL1TR-ND
Price: 1.84851 CHF
Availability: InStock

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RD3G03BATTL1
DigiKey-Teilenr.	846-RD3G03BATTL1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RD3G03BATTL1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RD3G03BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RD3G03BATTL1
Beschreibung	PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 35 A (Tc) 56W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RD3G03BATTL1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 38 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2100 pF @ 20 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 56W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 19,1mOhm bei 35A, 10V	Basis-Produktnummer RD3G03