SCT2160KEC ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 140
Stückpreis : Fr. 11.46000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 374
Stückpreis : Fr. 15.43000
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 290
Stückpreis : Fr. 11.46000
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 18.76000
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 217
Stückpreis : Fr. 22.10000
Datenblatt

Ähnlich


Microchip Technology
Vorrätig: 121
Stückpreis : Fr. 6.95000
Datenblatt
N-Kanal 1200 V 22 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 22 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2160KEC

DigiKey-Teilenr.
SCT2160KEC-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT2160KEC
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 22 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
208mOhm bei 7A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1200 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.