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N-Kanal 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2280KEC

DigiKey-Teilenr.
SCT2280KEC-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT2280KEC
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
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SCT2280KEC Modelle
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-
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Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
364mOhm bei 4A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
667 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
108W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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