Neues Produkt
IMW65R060M2HXKSA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMW65R060M2HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMW65R060M2HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMW65R060M2HXKSA1
Beschreibung
IMW65R060M2HXKSA1
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 32,8A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-40
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMW65R060M2HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
55mOhm bei 15,4A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 3,1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
19 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
669 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3-40
Gehäuse / Hülle
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Stange
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30Fr. 3.65833Fr. 109.75
120Fr. 3.19375Fr. 383.25
510Fr. 2.87843Fr. 1’468.00
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Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
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