Name: SCT3160KLGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3160KLGC11-ND
Price: 5.81578 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT3160KLGC11
DigiKey-Teilenr.	SCT3160KLGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT3160KLGC11
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 17 A (Tc) 103W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCT3160KLGC11 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	208mOhm bei 5A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	42 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	398 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	103W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SCT3160

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30	Fr. 4.40000	Fr. 132.00
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