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GCMX003A120S7B1

DigiKey-Teilenr.
1560-GCMX003A120S7B1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GCMX003A120S7B1
Beschreibung
1200V 3M SIC HALF BRIDGE 62MM MO
Standardlieferzeit des Herstellers
6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 529A (Tc) 1546W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6mOhm bei 300A, 20V
Hersteller
SemiQ
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 120mA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1326nC bei 20V
Verpackung
Tablett
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
37200pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
1546W (Tc)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäuse / Hülle
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
529A (Tc)
Umwelt- und Exportklassifikationen
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