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GCMX010A120B3H1P
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GCMX010A120B3H1P

DigiKey-Teilenr.
1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GCMX010A120B3H1P
Beschreibung
1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
SemiQ
Serie
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
201A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
14mOhm bei 100A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 40mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
428nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
10900pF bei 800V
Leistung - Max.
600W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
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