Name: S2M0160120K
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0160120K-ND
Price: 4.8645 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

S2M0160120K
DigiKey-Teilenr.	1655-S2M0160120K-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S2M0160120K
Beschreibung	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	196mOhm bei 10A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26.5 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	513 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	130W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 4.50000	Fr. 4.50
10	Fr. 3.00200	Fr. 30.02
300	Fr. 1.89243	Fr. 567.73
600	Fr. 1.76060	Fr. 1’056.36
1’200	Fr. 1.71360	Fr. 2’056.32

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